IRFH5306TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 15A 5X6 PQFN
Číslo dílu
IRFH5306TR2PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PQFN (5x6) Single Die
Ztráta energie (max.)
3.6W (Ta), 26W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
15A (Ta), 44A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.1 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1125pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 31106 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFH5306TR2PBF
IRFH5306TR2PBF Elektronické komponenty
IRFH5306TR2PBF Odbyt
IRFH5306TR2PBF Dodavatel
IRFH5306TR2PBF Distributor
IRFH5306TR2PBF Datová tabulka
IRFH5306TR2PBF Fotky
IRFH5306TR2PBF Cena
IRFH5306TR2PBF Nabídka
IRFH5306TR2PBF Nejnižší cena
IRFH5306TR2PBF Vyhledávání
IRFH5306TR2PBF Nákup
IRFH5306TR2PBF Chip