Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFH5302DTRPBF
MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN
Číslo dílu
IRFH5302DTRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PQFN (5x6) Single Die
Ztráta energie (max.)
3.6W (Ta), 104W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
29A (Ta), 100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
55nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3635pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 41620 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFH5302DTRPBF
IRFH5302DTRPBF Elektronické komponenty
IRFH5302DTRPBF Odbyt
IRFH5302DTRPBF Dodavatel
IRFH5302DTRPBF Distributor
IRFH5302DTRPBF Datová tabulka
IRFH5302DTRPBF Fotky
IRFH5302DTRPBF Cena
IRFH5302DTRPBF Nabídka
IRFH5302DTRPBF Nejnižší cena
IRFH5302DTRPBF Vyhledávání
IRFH5302DTRPBF Nákup
IRFH5302DTRPBF Chip