Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFH5302DTR2PBF
MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN
Číslo dílu
IRFH5302DTR2PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PQFN (5x6) Single Die
Ztráta energie (max.)
3.6W (Ta), 104W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
29A (Ta), 100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
55nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3635pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20559 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFH5302DTR2PBF
IRFH5302DTR2PBF Elektronické komponenty
IRFH5302DTR2PBF Odbyt
IRFH5302DTR2PBF Dodavatel
IRFH5302DTR2PBF Distributor
IRFH5302DTR2PBF Datová tabulka
IRFH5302DTR2PBF Fotky
IRFH5302DTR2PBF Cena
IRFH5302DTR2PBF Nabídka
IRFH5302DTR2PBF Nejnižší cena
IRFH5302DTR2PBF Vyhledávání
IRFH5302DTR2PBF Nákup
IRFH5302DTR2PBF Chip