IRFH5250DTRPBF
MOSFET N-CH 25V 40A 8VQFN
Číslo dílu
IRFH5250DTRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PQFN (5x6) Single Die
Ztráta energie (max.)
3.6W (Ta), 156W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
40A (Ta), 100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.4 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
83nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6115pF @ 13V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 16977 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFH5250DTRPBF
IRFH5250DTRPBF Elektronické komponenty
IRFH5250DTRPBF Odbyt
IRFH5250DTRPBF Dodavatel
IRFH5250DTRPBF Distributor
IRFH5250DTRPBF Datová tabulka
IRFH5250DTRPBF Fotky
IRFH5250DTRPBF Cena
IRFH5250DTRPBF Nabídka
IRFH5250DTRPBF Nejnižší cena
IRFH5250DTRPBF Vyhledávání
IRFH5250DTRPBF Nákup
IRFH5250DTRPBF Chip