Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFH5220TRPBF
MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN
Číslo dílu
IRFH5220TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-VQFN Exposed Pad
Dodavatelský balíček zařízení
PQFN (5x6)
Ztráta energie (max.)
3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.8A (Ta), 20A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
99.9 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1380pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 53906 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFH5220TRPBF
IRFH5220TRPBF Elektronické komponenty
IRFH5220TRPBF Odbyt
IRFH5220TRPBF Dodavatel
IRFH5220TRPBF Distributor
IRFH5220TRPBF Datová tabulka
IRFH5220TRPBF Fotky
IRFH5220TRPBF Cena
IRFH5220TRPBF Nabídka
IRFH5220TRPBF Nejnižší cena
IRFH5220TRPBF Vyhledávání
IRFH5220TRPBF Nákup
IRFH5220TRPBF Chip