IRFH5215TRPBF
MOSFET N-CH 150V 5A PQFN
Číslo dílu
IRFH5215TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-VQFN Exposed Pad
Dodavatelský balíček zařízení
PQFN (5x6)
Ztráta energie (max.)
3.6W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
150V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5A (Ta), 27A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
58 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1350pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 41654 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFH5215TRPBF
IRFH5215TRPBF Elektronické komponenty
IRFH5215TRPBF Odbyt
IRFH5215TRPBF Dodavatel
IRFH5215TRPBF Distributor
IRFH5215TRPBF Datová tabulka
IRFH5215TRPBF Fotky
IRFH5215TRPBF Cena
IRFH5215TRPBF Nabídka
IRFH5215TRPBF Nejnižší cena
IRFH5215TRPBF Vyhledávání
IRFH5215TRPBF Nákup
IRFH5215TRPBF Chip