IRFH5210TRPBF
MOSFET N-CH 100V 10A 8-PQFN
Číslo dílu
IRFH5210TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PQFN (5x6)
Ztráta energie (max.)
3.6W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Ta), 55A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
14.9 mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
59nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2570pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 13042 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFH5210TRPBF
IRFH5210TRPBF Elektronické komponenty
IRFH5210TRPBF Odbyt
IRFH5210TRPBF Dodavatel
IRFH5210TRPBF Distributor
IRFH5210TRPBF Datová tabulka
IRFH5210TRPBF Fotky
IRFH5210TRPBF Cena
IRFH5210TRPBF Nabídka
IRFH5210TRPBF Nejnižší cena
IRFH5210TRPBF Vyhledávání
IRFH5210TRPBF Nákup
IRFH5210TRPBF Chip