Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFH5110TRPBF
MOSFET N-CH 100V 11A 8-PQFN
Číslo dílu
IRFH5110TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PQFN (5x6)
Ztráta energie (max.)
3.6W (Ta), 114W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
11A (Ta), 63A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
12.4 mOhm @ 37A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
72nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3152pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 45384 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFH5110TRPBF
IRFH5110TRPBF Elektronické komponenty
IRFH5110TRPBF Odbyt
IRFH5110TRPBF Dodavatel
IRFH5110TRPBF Distributor
IRFH5110TRPBF Datová tabulka
IRFH5110TRPBF Fotky
IRFH5110TRPBF Cena
IRFH5110TRPBF Nabídka
IRFH5110TRPBF Nejnižší cena
IRFH5110TRPBF Vyhledávání
IRFH5110TRPBF Nákup
IRFH5110TRPBF Chip