IRFH5053TRPBF
MOSFET N-CH 100V 9.3A PQFN56
Číslo dílu
IRFH5053TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PQFN (5x6) Single Die
Ztráta energie (max.)
3.1W (Ta), 8.3W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9.3A (Ta), 46A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
18 mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1510pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 39798 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFH5053TRPBF
IRFH5053TRPBF Elektronické komponenty
IRFH5053TRPBF Odbyt
IRFH5053TRPBF Dodavatel
IRFH5053TRPBF Distributor
IRFH5053TRPBF Datová tabulka
IRFH5053TRPBF Fotky
IRFH5053TRPBF Cena
IRFH5053TRPBF Nabídka
IRFH5053TRPBF Nejnižší cena
IRFH5053TRPBF Vyhledávání
IRFH5053TRPBF Nákup
IRFH5053TRPBF Chip