IRFH5025TRPBF
MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN56
Číslo dílu
IRFH5025TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-VQFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-QFN
Ztráta energie (max.)
3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
250V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.8A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
100 mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
56nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2150pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 15814 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFH5025TRPBF
IRFH5025TRPBF Elektronické komponenty
IRFH5025TRPBF Odbyt
IRFH5025TRPBF Dodavatel
IRFH5025TRPBF Distributor
IRFH5025TRPBF Datová tabulka
IRFH5025TRPBF Fotky
IRFH5025TRPBF Cena
IRFH5025TRPBF Nabídka
IRFH5025TRPBF Nejnižší cena
IRFH5025TRPBF Vyhledávání
IRFH5025TRPBF Nákup
IRFH5025TRPBF Chip