IRFH5020TRPBF
MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN
Číslo dílu
IRFH5020TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-PQFN (5x6)
Ztráta energie (max.)
3.6W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.1A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
55 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
54nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2290pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 49674 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFH5020TRPBF
IRFH5020TRPBF Elektronické komponenty
IRFH5020TRPBF Odbyt
IRFH5020TRPBF Dodavatel
IRFH5020TRPBF Distributor
IRFH5020TRPBF Datová tabulka
IRFH5020TRPBF Fotky
IRFH5020TRPBF Cena
IRFH5020TRPBF Nabídka
IRFH5020TRPBF Nejnižší cena
IRFH5020TRPBF Vyhledávání
IRFH5020TRPBF Nákup
IRFH5020TRPBF Chip