Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFH5020TR2PBF
MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN
Číslo dílu
IRFH5020TR2PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-PQFN (5x6)
Ztráta energie (max.)
3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.1A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
55 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
54nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2290pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42926 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFH5020TR2PBF
IRFH5020TR2PBF Elektronické komponenty
IRFH5020TR2PBF Odbyt
IRFH5020TR2PBF Dodavatel
IRFH5020TR2PBF Distributor
IRFH5020TR2PBF Datová tabulka
IRFH5020TR2PBF Fotky
IRFH5020TR2PBF Cena
IRFH5020TR2PBF Nabídka
IRFH5020TR2PBF Nejnižší cena
IRFH5020TR2PBF Vyhledávání
IRFH5020TR2PBF Nákup
IRFH5020TR2PBF Chip