IRFH5015TRPBF
MOSFET N-CH 150V 10A 8VQFN
Číslo dílu
IRFH5015TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-PQFN (5x6)
Ztráta energie (max.)
3.6W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
150V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Ta), 56A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
31 mOhm @ 34A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2300pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 23415 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFH5015TRPBF
IRFH5015TRPBF Elektronické komponenty
IRFH5015TRPBF Odbyt
IRFH5015TRPBF Dodavatel
IRFH5015TRPBF Distributor
IRFH5015TRPBF Datová tabulka
IRFH5015TRPBF Fotky
IRFH5015TRPBF Cena
IRFH5015TRPBF Nabídka
IRFH5015TRPBF Nejnižší cena
IRFH5015TRPBF Vyhledávání
IRFH5015TRPBF Nákup
IRFH5015TRPBF Chip