IRFH5015TR2PBF
MOSFET N-CH 150V 10A 8VQFN
Číslo dílu
IRFH5015TR2PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-VQFN
Dodavatelský balíček zařízení
PQFN (5x6) Single Die
Ztráta energie (max.)
3.6W (Ta), 156W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
150V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Ta), 56A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
31 mOhm @ 34A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2300pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 24164 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFH5015TR2PBF
IRFH5015TR2PBF Elektronické komponenty
IRFH5015TR2PBF Odbyt
IRFH5015TR2PBF Dodavatel
IRFH5015TR2PBF Distributor
IRFH5015TR2PBF Datová tabulka
IRFH5015TR2PBF Fotky
IRFH5015TR2PBF Cena
IRFH5015TR2PBF Nabídka
IRFH5015TR2PBF Nejnižší cena
IRFH5015TR2PBF Vyhledávání
IRFH5015TR2PBF Nákup
IRFH5015TR2PBF Chip