Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFH5010TRPBF
MOSFET N-CH 100V 13A 8-PQFN
Číslo dílu
IRFH5010TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PQFN (5x6)
Ztráta energie (max.)
3.6W (Ta), 250W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
13A (Ta), 100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
98nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4340pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 19136 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFH5010TRPBF
IRFH5010TRPBF Elektronické komponenty
IRFH5010TRPBF Odbyt
IRFH5010TRPBF Dodavatel
IRFH5010TRPBF Distributor
IRFH5010TRPBF Datová tabulka
IRFH5010TRPBF Fotky
IRFH5010TRPBF Cena
IRFH5010TRPBF Nabídka
IRFH5010TRPBF Nejnižší cena
IRFH5010TRPBF Vyhledávání
IRFH5010TRPBF Nákup
IRFH5010TRPBF Chip