IRFH4210DTRPBF
MOSFET N-CH 25V 44A 8PQFN
Číslo dílu
IRFH4210DTRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PQFN (5x6)
Ztráta energie (max.)
3.5W (Ta), 125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
44A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.1 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
77nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4812pF @ 13V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 34743 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFH4210DTRPBF
IRFH4210DTRPBF Elektronické komponenty
IRFH4210DTRPBF Odbyt
IRFH4210DTRPBF Dodavatel
IRFH4210DTRPBF Distributor
IRFH4210DTRPBF Datová tabulka
IRFH4210DTRPBF Fotky
IRFH4210DTRPBF Cena
IRFH4210DTRPBF Nabídka
IRFH4210DTRPBF Nejnižší cena
IRFH4210DTRPBF Vyhledávání
IRFH4210DTRPBF Nákup
IRFH4210DTRPBF Chip