Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFBA90N20DPBF
MOSFET N-CH 200V 98A SUPER-220
Číslo dílu
IRFBA90N20DPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
Super-220™-3 (Straight Leads)
Dodavatelský balíček zařízení
SUPER-220™ (TO-273AA)
Ztráta energie (max.)
650W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
98A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
23 mOhm @ 59A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
240nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6080pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 37540 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFBA90N20DPBF
IRFBA90N20DPBF Elektronické komponenty
IRFBA90N20DPBF Odbyt
IRFBA90N20DPBF Dodavatel
IRFBA90N20DPBF Distributor
IRFBA90N20DPBF Datová tabulka
IRFBA90N20DPBF Fotky
IRFBA90N20DPBF Cena
IRFBA90N20DPBF Nabídka
IRFBA90N20DPBF Nejnižší cena
IRFBA90N20DPBF Vyhledávání
IRFBA90N20DPBF Nákup
IRFBA90N20DPBF Chip