Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFB812PBF
MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB
Číslo dílu
IRFB812PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
78W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.2 Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
810pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42819 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFB812PBF
IRFB812PBF Elektronické komponenty
IRFB812PBF Odbyt
IRFB812PBF Dodavatel
IRFB812PBF Distributor
IRFB812PBF Datová tabulka
IRFB812PBF Fotky
IRFB812PBF Cena
IRFB812PBF Nabídka
IRFB812PBF Nejnižší cena
IRFB812PBF Vyhledávání
IRFB812PBF Nákup
IRFB812PBF Chip