Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFB7730PBF
MOSFET N-CH 75V 195A TO220
Číslo dílu
IRFB7730PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
375W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
75V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.6 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
407nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
13660pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 39237 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFB7730PBF
IRFB7730PBF Elektronické komponenty
IRFB7730PBF Odbyt
IRFB7730PBF Dodavatel
IRFB7730PBF Distributor
IRFB7730PBF Datová tabulka
IRFB7730PBF Fotky
IRFB7730PBF Cena
IRFB7730PBF Nabídka
IRFB7730PBF Nejnižší cena
IRFB7730PBF Vyhledávání
IRFB7730PBF Nákup
IRFB7730PBF Chip