Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFB7530PBF
MOSFET N CH 60V 195A TO-220AB
Číslo dílu
IRFB7530PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®, StrongIRFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
375W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
411nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
13703pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 33917 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFB7530PBF
IRFB7530PBF Elektronické komponenty
IRFB7530PBF Odbyt
IRFB7530PBF Dodavatel
IRFB7530PBF Distributor
IRFB7530PBF Datová tabulka
IRFB7530PBF Fotky
IRFB7530PBF Cena
IRFB7530PBF Nabídka
IRFB7530PBF Nejnižší cena
IRFB7530PBF Vyhledávání
IRFB7530PBF Nákup
IRFB7530PBF Chip