Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFB7434PBF
MOSFET N CH 40V 195A TO220
Číslo dílu
IRFB7434PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®, StrongIRFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
294W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.6 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
324nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
10820pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20750 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFB7434PBF
IRFB7434PBF Elektronické komponenty
IRFB7434PBF Odbyt
IRFB7434PBF Dodavatel
IRFB7434PBF Distributor
IRFB7434PBF Datová tabulka
IRFB7434PBF Fotky
IRFB7434PBF Cena
IRFB7434PBF Nabídka
IRFB7434PBF Nejnižší cena
IRFB7434PBF Vyhledávání
IRFB7434PBF Nákup
IRFB7434PBF Chip