Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFB52N15DPBF
MOSFET N-CH 150V 51A TO-220AB
Číslo dílu
IRFB52N15DPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
3.8W (Ta), 230W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
150V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
51A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
32 mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
89nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2770pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 23594 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFB52N15DPBF
IRFB52N15DPBF Elektronické komponenty
IRFB52N15DPBF Odbyt
IRFB52N15DPBF Dodavatel
IRFB52N15DPBF Distributor
IRFB52N15DPBF Datová tabulka
IRFB52N15DPBF Fotky
IRFB52N15DPBF Cena
IRFB52N15DPBF Nabídka
IRFB52N15DPBF Nejnižší cena
IRFB52N15DPBF Vyhledávání
IRFB52N15DPBF Nákup
IRFB52N15DPBF Chip