Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFB4620PBF
MOSFET N-CH 200V 25A TO-220AB
Číslo dílu
IRFB4620PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
144W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
72.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1710pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20000 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFB4620PBF
IRFB4620PBF Elektronické komponenty
IRFB4620PBF Odbyt
IRFB4620PBF Dodavatel
IRFB4620PBF Distributor
IRFB4620PBF Datová tabulka
IRFB4620PBF Fotky
IRFB4620PBF Cena
IRFB4620PBF Nabídka
IRFB4620PBF Nejnižší cena
IRFB4620PBF Vyhledávání
IRFB4620PBF Nákup
IRFB4620PBF Chip