Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFB4510PBF
MOSFET N CH 100V 62A TO220AB
Číslo dílu
IRFB4510PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
140W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
62A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
13.5 mOhm @ 37A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
87nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3180pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 28015 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFB4510PBF
IRFB4510PBF Elektronické komponenty
IRFB4510PBF Odbyt
IRFB4510PBF Dodavatel
IRFB4510PBF Distributor
IRFB4510PBF Datová tabulka
IRFB4510PBF Fotky
IRFB4510PBF Cena
IRFB4510PBF Nabídka
IRFB4510PBF Nejnižší cena
IRFB4510PBF Vyhledávání
IRFB4510PBF Nákup
IRFB4510PBF Chip