Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFB4310ZPBF
MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB
Číslo dílu
IRFB4310ZPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
250W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
170nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6860pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20090 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFB4310ZPBF
IRFB4310ZPBF Elektronické komponenty
IRFB4310ZPBF Odbyt
IRFB4310ZPBF Dodavatel
IRFB4310ZPBF Distributor
IRFB4310ZPBF Datová tabulka
IRFB4310ZPBF Fotky
IRFB4310ZPBF Cena
IRFB4310ZPBF Nabídka
IRFB4310ZPBF Nejnižší cena
IRFB4310ZPBF Vyhledávání
IRFB4310ZPBF Nákup
IRFB4310ZPBF Chip