Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFB4310PBF
MOSFET N-CH 100V 130A TO-220AB
Číslo dílu
IRFB4310PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
130A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
7 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
250nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7670pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 23792 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFB4310PBF
IRFB4310PBF Elektronické komponenty
IRFB4310PBF Odbyt
IRFB4310PBF Dodavatel
IRFB4310PBF Distributor
IRFB4310PBF Datová tabulka
IRFB4310PBF Fotky
IRFB4310PBF Cena
IRFB4310PBF Nabídka
IRFB4310PBF Nejnižší cena
IRFB4310PBF Vyhledávání
IRFB4310PBF Nákup
IRFB4310PBF Chip