Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFB4229PBF
MOSFET N-CH 250V 46A TO-220AB
Číslo dílu
IRFB4229PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
330W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
250V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
46A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
46 mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4560pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 7957 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFB4229PBF
IRFB4229PBF Elektronické komponenty
IRFB4229PBF Odbyt
IRFB4229PBF Dodavatel
IRFB4229PBF Distributor
IRFB4229PBF Datová tabulka
IRFB4229PBF Fotky
IRFB4229PBF Cena
IRFB4229PBF Nabídka
IRFB4229PBF Nejnižší cena
IRFB4229PBF Vyhledávání
IRFB4229PBF Nákup
IRFB4229PBF Chip