Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFB4215PBF
MOSFET N-CH 60V 115A TO-220AB
Číslo dílu
IRFB4215PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
270W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
115A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9 mOhm @ 54A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
170nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4080pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 17597 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFB4215PBF
IRFB4215PBF Elektronické komponenty
IRFB4215PBF Odbyt
IRFB4215PBF Dodavatel
IRFB4215PBF Distributor
IRFB4215PBF Datová tabulka
IRFB4215PBF Fotky
IRFB4215PBF Cena
IRFB4215PBF Nabídka
IRFB4215PBF Nejnižší cena
IRFB4215PBF Vyhledávání
IRFB4215PBF Nákup
IRFB4215PBF Chip