Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFB4137PBF
MOSFET N-CH 300V 38A TO-220PAK
Číslo dílu
IRFB4137PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220
Ztráta energie (max.)
341W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
300V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
38A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
69 mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
125nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5168pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 52367 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFB4137PBF
IRFB4137PBF Elektronické komponenty
IRFB4137PBF Odbyt
IRFB4137PBF Dodavatel
IRFB4137PBF Distributor
IRFB4137PBF Datová tabulka
IRFB4137PBF Fotky
IRFB4137PBF Cena
IRFB4137PBF Nabídka
IRFB4137PBF Nejnižší cena
IRFB4137PBF Vyhledávání
IRFB4137PBF Nákup
IRFB4137PBF Chip