Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFB4127PBF
MOSFET N-CH 200V 76A TO-220AB
Číslo dílu
IRFB4127PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
375W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
76A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
20 mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
150nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5380pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 26422 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFB4127PBF
IRFB4127PBF Elektronické komponenty
IRFB4127PBF Odbyt
IRFB4127PBF Dodavatel
IRFB4127PBF Distributor
IRFB4127PBF Datová tabulka
IRFB4127PBF Fotky
IRFB4127PBF Cena
IRFB4127PBF Nabídka
IRFB4127PBF Nejnižší cena
IRFB4127PBF Vyhledávání
IRFB4127PBF Nákup
IRFB4127PBF Chip