Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFB4110PBF
MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB
Číslo dílu
IRFB4110PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
370W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.5 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
210nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
9620pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 23356 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFB4110PBF
IRFB4110PBF Elektronické komponenty
IRFB4110PBF Odbyt
IRFB4110PBF Dodavatel
IRFB4110PBF Distributor
IRFB4110PBF Datová tabulka
IRFB4110PBF Fotky
IRFB4110PBF Cena
IRFB4110PBF Nabídka
IRFB4110PBF Nejnižší cena
IRFB4110PBF Vyhledávání
IRFB4110PBF Nákup
IRFB4110PBF Chip