Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFB38N20DPBF
MOSFET N-CH 200V 43A TO-220AB
Číslo dílu
IRFB38N20DPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
3.8W (Ta), 300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
43A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
54 mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
91nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2900pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 32053 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFB38N20DPBF
IRFB38N20DPBF Elektronické komponenty
IRFB38N20DPBF Odbyt
IRFB38N20DPBF Dodavatel
IRFB38N20DPBF Distributor
IRFB38N20DPBF Datová tabulka
IRFB38N20DPBF Fotky
IRFB38N20DPBF Cena
IRFB38N20DPBF Nabídka
IRFB38N20DPBF Nejnižší cena
IRFB38N20DPBF Vyhledávání
IRFB38N20DPBF Nákup
IRFB38N20DPBF Chip