Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFB3607PBF
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB
Číslo dílu
IRFB3607PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
140W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
75V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9 mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
84nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3070pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 7752 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFB3607PBF
IRFB3607PBF Elektronické komponenty
IRFB3607PBF Odbyt
IRFB3607PBF Dodavatel
IRFB3607PBF Distributor
IRFB3607PBF Datová tabulka
IRFB3607PBF Fotky
IRFB3607PBF Cena
IRFB3607PBF Nabídka
IRFB3607PBF Nejnižší cena
IRFB3607PBF Vyhledávání
IRFB3607PBF Nákup
IRFB3607PBF Chip