Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFB33N15DPBF
MOSFET N-CH 150V 33A TO-220AB
Číslo dílu
IRFB33N15DPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
3.8W (Ta), 170W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
150V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
56 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
90nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2020pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20805 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFB33N15DPBF
IRFB33N15DPBF Elektronické komponenty
IRFB33N15DPBF Odbyt
IRFB33N15DPBF Dodavatel
IRFB33N15DPBF Distributor
IRFB33N15DPBF Datová tabulka
IRFB33N15DPBF Fotky
IRFB33N15DPBF Cena
IRFB33N15DPBF Nabídka
IRFB33N15DPBF Nejnižší cena
IRFB33N15DPBF Vyhledávání
IRFB33N15DPBF Nákup
IRFB33N15DPBF Chip