Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFB3307PBF
MOSFET N-CH 75V 130A TO-220AB
Číslo dílu
IRFB3307PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
200W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
75V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
130A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6.3 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
180nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5150pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 23320 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFB3307PBF
IRFB3307PBF Elektronické komponenty
IRFB3307PBF Odbyt
IRFB3307PBF Dodavatel
IRFB3307PBF Distributor
IRFB3307PBF Datová tabulka
IRFB3307PBF Fotky
IRFB3307PBF Cena
IRFB3307PBF Nabídka
IRFB3307PBF Nejnižší cena
IRFB3307PBF Vyhledávání
IRFB3307PBF Nákup
IRFB3307PBF Chip