Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFB3207ZPBF
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
Číslo dílu
IRFB3207ZPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
75V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.1 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
170nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6920pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 7029 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFB3207ZPBF
IRFB3207ZPBF Elektronické komponenty
IRFB3207ZPBF Odbyt
IRFB3207ZPBF Dodavatel
IRFB3207ZPBF Distributor
IRFB3207ZPBF Datová tabulka
IRFB3207ZPBF Fotky
IRFB3207ZPBF Cena
IRFB3207ZPBF Nabídka
IRFB3207ZPBF Nejnižší cena
IRFB3207ZPBF Vyhledávání
IRFB3207ZPBF Nákup
IRFB3207ZPBF Chip