Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFB3207PBF
MOSFET N-CH 75V 180A TO-220AB
Číslo dílu
IRFB3207PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
330W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
75V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
170A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.5 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
260nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7600pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 7785 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFB3207PBF
IRFB3207PBF Elektronické komponenty
IRFB3207PBF Odbyt
IRFB3207PBF Dodavatel
IRFB3207PBF Distributor
IRFB3207PBF Datová tabulka
IRFB3207PBF Fotky
IRFB3207PBF Cena
IRFB3207PBF Nabídka
IRFB3207PBF Nejnižší cena
IRFB3207PBF Vyhledávání
IRFB3207PBF Nákup
IRFB3207PBF Chip