Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFB3206PBF
MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB
Číslo dílu
IRFB3206PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
170nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6540pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 23943 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFB3206PBF
IRFB3206PBF Elektronické komponenty
IRFB3206PBF Odbyt
IRFB3206PBF Dodavatel
IRFB3206PBF Distributor
IRFB3206PBF Datová tabulka
IRFB3206PBF Fotky
IRFB3206PBF Cena
IRFB3206PBF Nabídka
IRFB3206PBF Nejnižší cena
IRFB3206PBF Vyhledávání
IRFB3206PBF Nákup
IRFB3206PBF Chip