Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFB3206GPBF
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Číslo dílu
IRFB3206GPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
170nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6540pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 19357 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFB3206GPBF
IRFB3206GPBF Elektronické komponenty
IRFB3206GPBF Odbyt
IRFB3206GPBF Dodavatel
IRFB3206GPBF Distributor
IRFB3206GPBF Datová tabulka
IRFB3206GPBF Fotky
IRFB3206GPBF Cena
IRFB3206GPBF Nabídka
IRFB3206GPBF Nejnižší cena
IRFB3206GPBF Vyhledávání
IRFB3206GPBF Nákup
IRFB3206GPBF Chip