Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFB3006PBF
MOSFET N-CH 60V 195A TO-220AB
Číslo dílu
IRFB3006PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
375W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.5 mOhm @ 170A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
300nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
8970pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 10672 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFB3006PBF
IRFB3006PBF Elektronické komponenty
IRFB3006PBF Odbyt
IRFB3006PBF Dodavatel
IRFB3006PBF Distributor
IRFB3006PBF Datová tabulka
IRFB3006PBF Fotky
IRFB3006PBF Cena
IRFB3006PBF Nabídka
IRFB3006PBF Nejnižší cena
IRFB3006PBF Vyhledávání
IRFB3006PBF Nákup
IRFB3006PBF Chip