Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFB3006GPBF
MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Číslo dílu
IRFB3006GPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
375W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.5 mOhm @ 170A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
300nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
8970pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 46124 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFB3006GPBF
IRFB3006GPBF Elektronické komponenty
IRFB3006GPBF Odbyt
IRFB3006GPBF Dodavatel
IRFB3006GPBF Distributor
IRFB3006GPBF Datová tabulka
IRFB3006GPBF Fotky
IRFB3006GPBF Cena
IRFB3006GPBF Nabídka
IRFB3006GPBF Nejnižší cena
IRFB3006GPBF Vyhledávání
IRFB3006GPBF Nákup
IRFB3006GPBF Chip