Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFB260NPBF
MOSFET N-CH 200V 56A TO-220AB
Číslo dílu
IRFB260NPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
380W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
56A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
40 mOhm @ 34A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
220nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4220pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 30131 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFB260NPBF
IRFB260NPBF Elektronické komponenty
IRFB260NPBF Odbyt
IRFB260NPBF Dodavatel
IRFB260NPBF Distributor
IRFB260NPBF Datová tabulka
IRFB260NPBF Fotky
IRFB260NPBF Cena
IRFB260NPBF Nabídka
IRFB260NPBF Nejnižší cena
IRFB260NPBF Vyhledávání
IRFB260NPBF Nákup
IRFB260NPBF Chip