Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF9Z34NSTRR
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Číslo dílu
IRF9Z34NSTRR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.8W (Ta), 68W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
100 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
620pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 53762 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF9Z34NSTRR
IRF9Z34NSTRR Elektronické komponenty
IRF9Z34NSTRR Odbyt
IRF9Z34NSTRR Dodavatel
IRF9Z34NSTRR Distributor
IRF9Z34NSTRR Datová tabulka
IRF9Z34NSTRR Fotky
IRF9Z34NSTRR Cena
IRF9Z34NSTRR Nabídka
IRF9Z34NSTRR Nejnižší cena
IRF9Z34NSTRR Vyhledávání
IRF9Z34NSTRR Nákup
IRF9Z34NSTRR Chip