Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF9Z34NPBF
MOSFET P-CH 55V 19A TO-220AB
Číslo dílu
IRF9Z34NPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
68W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
100 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
620pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 15832 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF9Z34NPBF
IRF9Z34NPBF Elektronické komponenty
IRF9Z34NPBF Odbyt
IRF9Z34NPBF Dodavatel
IRF9Z34NPBF Distributor
IRF9Z34NPBF Datová tabulka
IRF9Z34NPBF Fotky
IRF9Z34NPBF Cena
IRF9Z34NPBF Nabídka
IRF9Z34NPBF Nejnižší cena
IRF9Z34NPBF Vyhledávání
IRF9Z34NPBF Nákup
IRF9Z34NPBF Chip