IRF9Z24NSTRLPBF
MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
Číslo dílu
IRF9Z24NSTRLPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.8W (Ta), 45W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
175 mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
19nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 9490 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF9Z24NSTRLPBF
IRF9Z24NSTRLPBF Elektronické komponenty
IRF9Z24NSTRLPBF Odbyt
IRF9Z24NSTRLPBF Dodavatel
IRF9Z24NSTRLPBF Distributor
IRF9Z24NSTRLPBF Datová tabulka
IRF9Z24NSTRLPBF Fotky
IRF9Z24NSTRLPBF Cena
IRF9Z24NSTRLPBF Nabídka
IRF9Z24NSTRLPBF Nejnižší cena
IRF9Z24NSTRLPBF Vyhledávání
IRF9Z24NSTRLPBF Nákup
IRF9Z24NSTRLPBF Chip