Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF9Z24NSTRL
MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
Číslo dílu
IRF9Z24NSTRL
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.8W (Ta), 45W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
175 mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
19nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43252 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF9Z24NSTRL
IRF9Z24NSTRL Elektronické komponenty
IRF9Z24NSTRL Odbyt
IRF9Z24NSTRL Dodavatel
IRF9Z24NSTRL Distributor
IRF9Z24NSTRL Datová tabulka
IRF9Z24NSTRL Fotky
IRF9Z24NSTRL Cena
IRF9Z24NSTRL Nabídka
IRF9Z24NSTRL Nejnižší cena
IRF9Z24NSTRL Vyhledávání
IRF9Z24NSTRL Nákup
IRF9Z24NSTRL Chip