Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF9Z24NS
MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
Číslo dílu
IRF9Z24NS
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.8W (Ta), 45W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
175 mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
19nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 50321 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF9Z24NS
IRF9Z24NS Elektronické komponenty
IRF9Z24NS Odbyt
IRF9Z24NS Dodavatel
IRF9Z24NS Distributor
IRF9Z24NS Datová tabulka
IRF9Z24NS Fotky
IRF9Z24NS Cena
IRF9Z24NS Nabídka
IRF9Z24NS Nejnižší cena
IRF9Z24NS Vyhledávání
IRF9Z24NS Nákup
IRF9Z24NS Chip