Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF9Z24NLPBF
MOSFET P-CH 55V 12A TO-262
Číslo dílu
IRF9Z24NLPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-262
Ztráta energie (max.)
3.8W (Ta), 45W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
175 mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
19nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14772 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF9Z24NLPBF
IRF9Z24NLPBF Elektronické komponenty
IRF9Z24NLPBF Odbyt
IRF9Z24NLPBF Dodavatel
IRF9Z24NLPBF Distributor
IRF9Z24NLPBF Datová tabulka
IRF9Z24NLPBF Fotky
IRF9Z24NLPBF Cena
IRF9Z24NLPBF Nabídka
IRF9Z24NLPBF Nejnižší cena
IRF9Z24NLPBF Vyhledávání
IRF9Z24NLPBF Nákup
IRF9Z24NLPBF Chip