Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF9953
MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF9953
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Výkon - Max
2W
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Typ FET
2 P-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.3A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
250 mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
190pF @ 15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 29127 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF9953
IRF9953 Elektronické komponenty
IRF9953 Odbyt
IRF9953 Dodavatel
IRF9953 Distributor
IRF9953 Datová tabulka
IRF9953 Fotky
IRF9953 Cena
IRF9953 Nabídka
IRF9953 Nejnižší cena
IRF9953 Vyhledávání
IRF9953 Nákup
IRF9953 Chip