Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF9910PBF
MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF9910PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Tube
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Výkon - Max
2W
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A, 12A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
13.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.55V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
900pF @ 10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 54608 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF9910PBF
IRF9910PBF Elektronické komponenty
IRF9910PBF Odbyt
IRF9910PBF Dodavatel
IRF9910PBF Distributor
IRF9910PBF Datová tabulka
IRF9910PBF Fotky
IRF9910PBF Cena
IRF9910PBF Nabídka
IRF9910PBF Nejnižší cena
IRF9910PBF Vyhledávání
IRF9910PBF Nákup
IRF9910PBF Chip